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Micron: producción en masa de chips DDR4 y LPDDR4X de 16 Gbit con tecnología de 1z nm

Micron anunció el jueves que la producción en volumen de chips de memoria comenzará con la tecnología de 10nm de tercera generación (también conocida como 1Z-nm). Las primeras DRAM fabricadas con el proceso de 1Z-nm de Micron son dispositivos monolíticos DDR4 y LPDDR4X de 16 Gbit, cuya cartera se espera que se expanda con el tiempo.

El proceso de fabricaci√≥n de DRAM de clase 10 nm (1Z nm) de tercera generaci√≥n de Micron le permite a la compa√Ī√≠a aumentar la densidad de bits, mejorar el rendimiento y el consumo de energ√≠a de sus chips DRAM en comparaci√≥n con la clase de 10 nm (1Y) segunda generaci√≥n de menor nm). La compa√Ī√≠a afirma que su dispositivo DDR4 de 16 Gbit usa un 40% menos de energ√≠a que los 8DRAM DDR4 de dos Gbit (probablemente al mismo tiempo). Mientras tanto, los circuitos integrados LPDDR4X de 16 GB de Micron ahorran hasta un 10% de energ√≠a. Debido a la mayor densidad de bits que ofrece la nueva tecnolog√≠a de 1Z-nm, es m√°s barato para Micron fabricar chips de memoria de alta capacidad (por ejemplo, 16 GB) para subsistemas de memoria m√°s asequibles y de alta capacidad.

El fabricante no ha lanzado las cajas de engranajes para sus DRAM DDR4 de 16 Gbit, pero espera que Micron est√© en las √°reas oficiales de JEDEC. Uno de los primeros productos en utilizar los dispositivos DDR4 de 16 Gbit de la compa√Ī√≠a son los m√≥dulos de memoria de alta capacidad (por ejemplo, 32 GB y m√°s) para computadoras de escritorio, port√°tiles y estaciones de trabajo.

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Cuando se trata de memoria m√≥vil, los chips LPDDR4X de 16 Gbit de Micron est√°n dise√Īados para velocidades de transferencia de hasta 4266 MT / s. Adem√°s, LPDDR4X ofrece paquetes DRAM de hasta 16 GB (8A Micrron ofrecer√° paquetes multichip basados ‚Äč‚Äčen UFS (uMCP4) que integran NAND para memoria y DRAM. La familia de productos uMCP4 de la compa√Ī√≠a para tel√©fonos convencionales incluye ofertas de 64 GB o m√°s 3 GB a 256 GB + 8 GB (NAND + DRAM).

Micron no ha anunciado d√≥nde se fabricar√°n sus chips monol√≠ticos DDR4 y LPDDR4X de 16 Gbit con tecnolog√≠a de 1Z-nm. Por lo general, la compa√Ī√≠a comienza la producci√≥n en serie utilizando sus √ļltimos procesos de fabricaci√≥n en sus instalaciones de Hiroshima, Jap√≥n. Mientras tanto, tambi√©n se especula entre los analistas de que la compa√Ī√≠a espera operar las l√≠neas de producci√≥n 1Z este a√Īo en su Instalaciones de Micron Memory Taiwan (anteriormente Rexchip Semiconductor) cerca de Taichung, Taiwan.

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Fuente: micron

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