Cómo hacer un Sitio Web o Blog en 2024 - Guía fácil y Gratuita para Crear un Sitio Web

Micron: producción en masa de chips DDR4 y LPDDR4X de 16 Gbit con tecnología de 1z nm

Micron anunció el jueves que la producción en volumen de chips de memoria comenzará con la tecnología de 10nm de tercera generación (también conocida como 1Z-nm). Las primeras DRAM fabricadas con el proceso de 1Z-nm de Micron son dispositivos monolíticos DDR4 y LPDDR4X de 16 Gbit, cuya cartera se espera que se expanda con el tiempo.

El proceso de fabricación de DRAM de clase 10 nm (1Z nm) de tercera generación de Micron le permite a la compañía aumentar la densidad de bits, mejorar el rendimiento y el consumo de energía de sus chips DRAM en comparación con la clase de 10 nm (1Y) segunda generación de menor nm). La compañía afirma que su dispositivo DDR4 de 16 Gbit usa un 40% menos de energía que los 8DRAM DDR4 de dos Gbit (probablemente al mismo tiempo). Mientras tanto, los circuitos integrados LPDDR4X de 16 GB de Micron ahorran hasta un 10% de energía. Debido a la mayor densidad de bits que ofrece la nueva tecnología de 1Z-nm, es más barato para Micron fabricar chips de memoria de alta capacidad (por ejemplo, 16 GB) para subsistemas de memoria más asequibles y de alta capacidad.

El fabricante no ha lanzado las cajas de engranajes para sus DRAM DDR4 de 16 Gbit, pero espera que Micron esté en las áreas oficiales de JEDEC. Uno de los primeros productos en utilizar los dispositivos DDR4 de 16 Gbit de la compañía son los módulos de memoria de alta capacidad (por ejemplo, 32 GB y más) para computadoras de escritorio, portátiles y estaciones de trabajo.

🔥 Leer:  ¿Cómo arreglar si los puertos USB no funcionan o no son reconocidos por la PC?

Cuando se trata de memoria móvil, los chips LPDDR4X de 16 Gbit de Micron están diseñados para velocidades de transferencia de hasta 4266 MT / s. Además, LPDDR4X ofrece paquetes DRAM de hasta 16 GB (8A Micrron ofrecerá paquetes multichip basados ​​en UFS (uMCP4) que integran NAND para memoria y DRAM. La familia de productos uMCP4 de la compañía para teléfonos convencionales incluye ofertas de 64 GB o más 3 GB a 256 GB + 8 GB (NAND + DRAM).

Micron no ha anunciado dónde se fabricarán sus chips monolíticos DDR4 y LPDDR4X de 16 Gbit con tecnología de 1Z-nm. Por lo general, la compañía comienza la producción en serie utilizando sus últimos procesos de fabricación en sus instalaciones de Hiroshima, Japón. Mientras tanto, también se especula entre los analistas de que la compañía espera operar las líneas de producción 1Z este año en su Instalaciones de Micron Memory Taiwan (anteriormente Rexchip Semiconductor) cerca de Taichung, Taiwan.

Lectura relacionada:

Fuente: micron