Nyheter i Android, Telefoner, Prylar Och Recensioner

DigiTimes: Samsung Electronics har svårt att bemästra 3nm processteknik baserad på GAAFET-teknik – Aroged

DigiTimes: Samsung Electronics upplever svårigheter med att bemästra 3nm processteknik baserad på GAAFET-teknik

I en ny notering om prishöjningen för TSMC-tjänster med en försening av övergången till 3nm-processteknologin, var vi optimistiska och nämnde kort Samsung Electronics planer. börja släppa 3-nanometer-produkter 2022. Men om du tror på budskapet DigiTimes Asia, fortsätter den sydkoreanska jätten att uppleva några allvarliga tekniska svårigheter med att bemästra den lovande GAAFET-tekniken, som ersätter den nuvarande FinFET, och dess implementering kan skjutas upp tills 2023.

Som referens har GAAFET-arkitekturen, som ersätter nuvarande FinFET, utvecklats av en organisation som inkluderar IBM, Globalfoundries och Samsung sedan 2000. Det är hon som ska hjälpa till att övervinna skalningens fysiska begränsningar. MOP… Huvudfunktionen hos GAAFET är ringgate (därav namnet gate-all-around FET). Kanalerna hos GAAFET-transistorer är nanotrådar (de är bildade av flera horisontella “nanoskivor”) kisel. Samtidigt är FinFET-kanalen för transistorn under grinden en monolitisk vertikal fenstruktur, vilket medför begränsningar för skalning.

Samsung har sin egen implementering av GAAFET-teknik, som marknadsförs som Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET). Faktum är att MBCFET skiljer sig från GAAFET inte bara i namn, utan också tekniskt: i fallet med Samsungs implementering är kanalerna gjorda i form av platta “broar”, inte “ledningar”.

Vi pratade mer i detalj om GAAFET och Samsung Electronics framgångar med att bemästra följande nyckellitografiska teknologi i början av året:

Vänta, Intel. Samsung lyckas skapa 3nm 256Mbps SRAM-chip med MBCFET-transistorer

DigiTimes Asia-rapporten påpekar att Samsungs nuvarande 3GAE-process (potentiell 3LPP) inte är den konkurrerande TSMC 3nm FinFET-tekniken när det gäller produktionskostnader och produktionsvolymer. Och om Samsung tidigare planerat att byta till en testversion av produkter som använder 3 nm-processteknologin baserad på GAAFET-teknik 2021 och lansera fullfjädrad massproduktion 2022, så är i nuvarande verklighet slutet av 2022 – början av 2023 redan övervägs. Och här talar vi om den första generationen GAA Early (GAE)-teknik. GAA Early kommer i framtiden att ersättas av den förbättrade andra generationens GAA Plus (GAP), som Samsung ursprungligen förväntade sig att lansera 2023.

Relaterad  YouTube Music får adrenalinläge för att ge oss energi!

Table of Contents