Samsung påbörjar massproduktion av avancerat minne för autonoma bilar – Aroged
Samsung Electronics har meddelat starten för massproduktion av högpresterande solid-state-enheter och nästa generations RAM för bilindustrin.
Vi pratar i synnerhet om PCIe Gen3 NVMe-flashmoduler i BGA-format (Ball Grid Array) med en kapacitet på 256 GB. De är utrustade med en egen Samsung-kontroller. Den deklarerade hastigheten för sekventiell läsning av information når 2100 MB / s, hastigheten för sekventiell skrivning är 300 MB / s.
Dessutom organiseras massproduktion av GDDR6 DRAM och DDR4 DRAM: kapaciteten för produkter i båda fallen är 2 GB. GDDR6 DRAM-lösningen levererar upp till 14 Gbps bandbredd per stift.
Slutligen lanseringen av Universal Flash Storage (UFS) flashenheter med en kapacitet på 128 GB.
De nya produkterna är inriktade på avancerade bilinfotainment och självkörande system. Produkterna uppfyller kraven i AEC-Q100-standarden, vilket innebär att de kan användas i ett temperaturområde på -40 till + 105 °C.
Om du upptäcker ett fel, välj det med musen och tryck på CTRL + ENTER.
Inget resultat
Visa alla resultat
© Aroged 2021. Med ensamrätt.
Denna webbplats använder cookies. Genom att fortsätta använda denna webbplats ger du ditt samtycke till att cookies används. Besök vår sekretess- och cookiepolicy. Jag håller med
