Samsung meddelade att de var först i världen med att demonstrera MRAM-teknik (Magnetoresistive Random Access Memory) för in-memory computing.
Data lagras vanligtvis i DRAM för snabb åtkomst till processorn. Men MRAM ändrar det och förenar lagring och datoranvändning, vilket gör att båda kan köras på samma chip. Teoretiskt, i det här fallet, utförs operationer mycket snabbare, eftersom det inte finns något behov av att överföra data från minnet till processorn och vice versa.
Demonstrationen är ett genombrott för medan andra datorlösningar i minnet som PRAM och RRAM har demonstrerats, har ett fungerande MRAM varit ganska svårt att uppnå, främst på grund av dess låga motstånd. Det var inte heller möjligt att dra fördel av energieffektiviteten hos MRAM i en standardminnesarkitektur.
Samsung gjorde MRAM möjligt med sin egen utveckling av ett MRAM-arraychip som använder “resistance summa” istället för standard “current summa”, vilket löser resistansproblemet. Tekniken testades med körande AI-applikationer och visade 98 % noggrannhet vid klassificering av handskrivna siffror och 93 % noggrannhet i att känna igen ansikten i bilder.
Samsung säger att MRAM-teknik kan användas för AI-bearbetning och för att skapa högpresterande AI-chips.
