Samsung har släppt en rapport om nya utvecklingar inom Magnetoresistive Random-Access Memory (MRAM)-teknik. FoU-avdelningarna i det koreanska företaget har hittat ett sätt att utföra beräkningar i själva MRAM. Detta kan radikalt förändra idén om organisationen och strukturen av datorsystem.
I den klassiska arkitekturen utförs beräkningar i den centrala processorn och data lagras i internminnet, uppdelat i RAM och ROM. Processorn och minnet är sammankopplade av en systembuss, som inkluderar adress-, data- och styrbussar. Samsungs idé är att MRAM ska lagra och bearbeta data på ett ställe, vilket kommer att förbättra prestandan och avsevärt minska strömförbrukningen för datornoden.
Magneto-resistivt minne i sig har producerats i flera år av ledande företag, inklusive Intel, Samsung eller GlobalFoundries. MRAM erbjuder prestanda hos DRAM med NAND-blixtens icke-flyktighet och kan lagra inspelad data i många år utan behov av ström.
Naturligtvis finns det också nackdelar, varav den största är den låga densiteten och omöjligheten att skapa chips med stor kapacitet. Dessutom har MRAM mycket lågt motstånd jämfört med konkurrerande minnesteknologier.
Därför undersöker Samsung användningen av MRAM på IoT- och AI-marknaderna. En specifik rapport från företaget är relaterad till neuromorfa datorer som simulerar hjärnan hos en levande varelse (ett exempel är Intel Loihi-chippet). Neuromorfa datorer kräver inte en stor mängd minne på grund av hur de fungerar.
Intressant nog kunde forskarna från Samsung lägga in nackdelen med MRAM:s låga motstånd i grunden för beräkningarna, med hjälp av konceptet “summan av motstånd”. Specialisterna lyckades köra AI för bildklassificering på MRAM-scheman och uppnå 98 % noggrannhet för handskrivna siffror och 93 % för ansikten. I framtiden kommer MRAM att leta sig in i “nästa generations lågeffektteknik för artificiell intelligens” och neuromorfisk datoranvändning.
En källa:
HotHardware
.
