Samsung Electronics rapporterade om starten av serieproduktionen av DDR5 DRAM – den sydkoreanska tillverkaren var först med att lansera produktionen av 14-nanometer DDR5-mikrokretsar med hjälp av litografi i det hårda ultravioletta området (EUV).
JEDEC godkände den slutliga specifikationen för DDR5-minne i juli 2020, och i oktober tillkännagav SK Hynix “världens första” DDR5-minneskort. Sedan dess har Team Group, Adata och andra komponenttillverkare tävlat med varandra för att tillkännage lanseringen av moduler (DDR5), som konkurrerar om överhöghet.
Samsung Electronics ingenjörer kunde öka antalet EUV-lager till fem och uppnå det högsta bitdensitetsvärdet samtidigt som den totala prestandan ökade med cirka 20 % per wafer. Dessutom har övergången till 14nm-processtekniken minskat strömförbrukningen med nästan 20 % jämfört med föregående generations nod.
Samsungs 14nm DDR5-chips levererar dataöverföringshastigheter på upp till 7,2 Gbps per stift – dubbelt så mycket som DDR4 (3,6 Gbps). Med 14nm DDR5-minne riktar Samsung sig främst mot datacenter-, superdator- och företagssegmentet och förväntar sig att öka densiteten till 24Gb (64Gb DDR5-toppdensitet) för att möta de snabbt växande globala IT-behoven.
Samsung kommer att investera 42,8 miljarder dollar i halvledaraffärer under de kommande tre åren
***
Intel LGA1700-skrivbordsplattformen och 12:e generationens (Alder Lake-S) Core-processorer närmar sig, vilket kommer att markera början på DDR5-eran i det vanliga segmentet – väntas den 4 november. AMD:s första DDR5-stationära processorer kommer att vara Raphael (Zen 4) chips för AM5-plattformen, som förväntas släppas i början av 2022.
Analytiker förutspår att DDR5 år 2023 kommer att kringgå DDR4-sändningar och ta över hälften av DRAM-marknaden. Det tidigare kinesiska företaget Netac siktade på “spel” DDR5-minne med en frekvens på mer än 10 000 MHz – DDR5-frekvenserna börjar på 4,8 GHz, och maxvärdet för den första generationen anses vara 8,4 GHz.
