Samsung på Tech Day 2021 delade information om utvecklingen av nästa generations minne.
Tyvärr finns det inga bilder eller bilder från evenemanget då Samsungs integritetspolicy inte tillät att de togs. Så vi får nöja oss med att bara föra ingenjörers och företagsledares ord vidare.
Medan DDR5-minne är nytt och precis har börjat komma ut på marknaden, arbetar Samsung redan på nästa generations RAM-minne. DDR6-minne förväntas ge dubbelt så hög hastighet och bandbredd. DDR6-standarden har ännu inte formaliserats av JEDEC, men standardspecifikationerna ska ge en dataöverföringshastighet på cirka 12 800 Mbps. Samsung bekräftar att tekniken är i dess tidiga utvecklingsstadier, så siffrorna som presenteras av företaget kommer sannolikt att förändras. Ändå kan man ganska förvänta sig utseendet på överklockat DDR6-minne i hastigheter upp till 17000 Mbit/s. Det sägs också att DDR6 RAM kommer att ha 4 kanaler per modul (dubbel jämfört med DDR5), och antalet minnesbanker kommer att öka till 64, vilket är 4 gånger fler än DDR4-standarden.
Samsung har också avslöjat minnesstandarderna som kommer att ersätta GDDR6. Uppenbarligen utvecklar företaget nu standarden GDDR6+, som kommer att ge dataöverföringshastigheter upp till 24 Gb/s. Detta är högre, högre än kapaciteten hos GDDR6-standarden (18 Gb/s).
Dessutom är GDDR7-minne under utveckling, även om tidpunkten för dess utseende ännu inte har meddelats. Denna teknik bör öka minnesbandbredden till 32 Gbps och ge en “felskyddsfunktion i realtid”. Fler detaljer rapporterades inte.
Dessutom rapporteras det att Samsung kommer att påbörja massproduktion av HBM3-minne (High-Bandwidth-Memory Gen3) under andra kvartalet 2022. GDDR6-minne är planerat att börja produceras inom kort med hjälp av Samsungs 1z nm processteknologi.
En källa: videocardz
